Fa'ailoa ituaiga eseese o sela

1. ^{Folasaga i Cells}

(1) Va'aiga lautele:O sela o vaega autu ia ofa'atupu eletise photovoltaic, ma o latou auala faʻapitoa ma tulaga faʻagasologa e aʻafia tonu ai le lelei o le gaosiga o le eletise ma le ola tautua o modules photovoltaic.O sela photovoltaic o loʻo i totonu o le ogatotonu o le filifili alamanuia photovoltaic.O ni laupepa manifinifi semiconductor e mafai ona liua le malosi malamalama o le la i le malosi eletise e maua mai i le fa'againa o fa'ama'i sikoni tioata tasi/poly.

O le mataupu faavae ofa'atupu eletise photovoltaice sau mai le aafiaga photoelectric o semiconductors.E ala i le faʻamalamalamaina, o se eseesega e mafai ona faʻatupuina i le va o vaega eseese o semiconductors homogeneous poʻo semiconductors tuʻufaʻatasia ma metala.E liua mai photons (galu malamalama) i le eletise ma le malosi malamalama i le eletise eletise e fausia ai se voltage.ma le faagasologa o iai nei.E le mafai ona fa'auluina le eletise o masini fa'asilikoni e gaosia i le so'otaga i luga, ma o sela o le la ua fa'agaioia e fa'amautu ai le malosi e fa'atupuina ai le eletise o modules photovoltaic.

(2) Fa'avasegaga:Mai le vaaiga o le ituaiga substrate, e mafai ona vaevaeina sela i ni ituaiga se lua:sela P-ituaiga ma sela N-ituaiga.Doping boron i tioata silicon e mafai ona faia P-ituaiga semiconductors;doping phosphorus e mafai ona faia N-ituaiga semiconductors.O mea mata o le P-ituaiga maa o le P-ituaiga silicon wafer (doped i boron), ma le mea mata o N-ituaiga maa o le N-ituaiga silicon wafer (doped i phosphorus).P-ituaiga sela e masani lava ona aofia ai le BSF (galue alumini i tua fanua cell) ma le PERC (pasivated emitter ma tua cell);O sela N-ituaiga o loʻo sili atu i le taimi nei tekinolosi faʻapitoaTOPCon(tunneling oxide layer passivation contact) ma le HJT (intrinsic thin film Hetero junction).O le N-type maʻa e faʻatautaia le eletise e ala i le eletise, ma o le faʻaogaina o le malamalama e mafua mai i le paʻu o le boron-oxygen atom e itiiti ifo, o lea e sili atu le maualuga o le suiga o le photoelectric.

3. Folasaga o le PERC maa

(1) Va'aiga lautele: O le igoa atoa o le PERC maa o le "emitter and back passivation battery", lea e masani lava ona maua mai le AL-BSF fausaga o le alumini masani i tua maa fanua.Mai se vaaiga faʻavae, e tutusa uma le lua, ma o le PERC e naʻo le tasi le pito i tua o le passivation layer nai lo le BSF (le augatupulaga muamua tekinolosi).O le faʻavaeina o le faʻapipiʻi pasi i tua e mafai ai e le PERC cell ona faʻaitiitia le saoasaoa o le toe tuʻufaʻatasia o le pito i tua aʻo faʻaleleia le ata o le malamalama o le pito i tua ma faʻaleleia atili le suiga o le sela.

(2) Tala'aga o le atina'e: Talu mai le 2015, o ma'a PERC i totonu o le atunu'u ua o'o atu i se tulaga o le fa'atupulaia vave.I le 2015, na ausia ai le tulaga muamua o le gaosiga o le maa a le PERC i le lalolagi, e tusa ma le 35% o le malosi ole gaosiga ole PERC ole lalolagi.I le 2016, o le "Photovoltaic Top Runner Program" na faʻatinoina e le National Energy Administration na taʻitaʻia ai le amataga aloaia o le gaosiga o gaosiga tele o sela PERC i Saina, faʻatasi ai ma le maualuga o le 20.5%.2017 o se suiga mo le maketi sea osela photovoltaic.Na amata ona paʻuʻu le maketi o sela masani.O le maketi o maketi a le PERC i totonu o le atunuʻu na siitia i le 15%, ma o lona gaosiga gafatia ua faʻateleina i le 28.9GW;

Talu mai le 2018, o maʻa PERC ua avea ma mea masani i le maketi.I le 2019, o le tele-tele-tele gaosiga o sela PERC o le a faatelevaveina, faatasi ai ma le tele o le gaosiga o le malosi o le 22.3%, faʻamauina mo le sili atu i le 50% o le gaosiga gafatia, e sili atu i luga ole sela BSF e avea ma tekonolosi telefoni feaveaʻi.E tusa ai ma faʻatusatusaga a le CPIA, e oʻo atu i le 2022, o le tele o gaosiga lelei o sela PERC o le a oʻo atu i le 23.3%, ma o le gaosiga gafatia o le a sili atu i le 80%, ma o le maketi o le a faʻamuamua pea.

4. TOPCon maa

(1) Fa'amatalaga:TOPCon maa, o lona uiga, o le tunneling oxide layer passivation contact cell, ua saunia i tua o le maa ma se ultra-thin tunneling oxide layer ma se vaega o le polysilicon manifinifi maualuga doped, lea e fausia faatasi ai se fausaga fesootaiga passivation.I le 2013, na tuʻuina mai e le Fraunhofer Institute i Siamani.Pe a faatusatusa i sela PERC, o le tasi o le faaaogaina o le silicon ituaiga n e fai ma sui.Pe a faatusatusa i le p-ituaiga silicon sela, n-ituaiga silicon e umi atu le ola ave taavale, maualuga le liua lelei, ma vaivai malamalama.O le lona lua o le saunia lea o se papa passivation (ultra-thin silicon oxide SiO2 ma doped poly silicon thin layer Poly-Si) i luga o le pito i tua e fausia ai se fausaga passivation faʻafesoʻotaʻi e faʻaesea atoa le itulagi doped mai le uamea, lea e mafai ona faʻaititia atili ai le tua. luga.Ole mea la'ititi e mafai ona toe tu'ufa'atasia i le va o luga ma le u'amea e fa'aleleia atili ai le fa'aliliuina o le maa.